IXKC 40N60C
ISOPLUS220 TM Outline
E
A
SYM
INCHES
MIN
MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
A
A2
b
b2
b4
.157
.098
.035
.049
.093
.197
.118
.051
.065
.100
4.00
2.50
0.90
1.25
2.35
5.00
3.00
1.30
1.65
2.55
2X b4
* Note 1
c
D
D1
E
E1
.028
.591
.472
.394
.295
.039
.630
.512
.433
.335
0.70
15.00
12.00
10.00
7.50
1.00
16.00
13.00
11.00
8.50
e
.100 BASIC
2.55 BASIC
1
2
3
L
L1
T
NOTE:
.512
.118
.571
.138
13.00
3.00
42.5
14.50
3.50
47.5
1. Bottom heatsink is electrically isolated from Pin 1, 2, or 3.
2X e
3X b
c
A2
2X b2
2. This drawing will meet dimensional requirement of JEDEC SS
Product Outline TO-273 except D and D1 dimension.
250
160
90
200
140
120
V GS = 20 V
10 V
8V
7V
80
70
T J = 150°C
V GS = 20 V
10 V
7V
6V
T J = 25°C
60
150
100
6.5 V
50
5.5 V
80
100
6V
40
60
30
5V
50
40
5.5 V
20
4.5 V
5V
0
20
4.5 V
10
0
40
80
120
160
20
T C [°C]
Fig. 1 Power dissipation
V DS [V]
Fig. 2 Typ. output characteristics
V DS [V]
Fig. 3 Typ. output characteristics
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
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20080523a
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IXKG25N80C 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKH20N60C5 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXKH30N60C5 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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